業(yè)內(nèi)首創(chuàng),天岳先進(jìn)公布 8 英寸碳化硅襯底最新技術(shù)
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7 月 3 日消息,天岳先進(jìn)攜 8 英寸碳化硅襯底最新技術(shù)動(dòng)態(tài)亮相 Semicon China 展會(huì),公開(kāi)了最新進(jìn)展。
注:上海半導(dǎo)體展 Semicon 是全球規(guī)模最大、最具影響力的半導(dǎo)體專業(yè)展,覆蓋芯片設(shè)計(jì)、制造、封測(cè)、設(shè)備、材料、光伏、顯示等產(chǎn)業(yè)。
公司 CTO 高超博士介紹,目前公司以 6 英寸導(dǎo)電型碳化硅襯底為主,上海臨港(600848)工廠已經(jīng)進(jìn)入產(chǎn)品交付階段,8 英寸產(chǎn)品也已經(jīng)具備產(chǎn)業(yè)化能力。
近日,天岳先進(jìn)采用液相法制備出了低缺陷的 8 英寸晶體,通過(guò)熱場(chǎng)、溶液設(shè)計(jì)和工藝創(chuàng)新突破了碳化硅單晶高質(zhì)量生長(zhǎng)界面控制和缺陷控制難題,尚屬業(yè)內(nèi)首創(chuàng)。除了產(chǎn)品尺寸,在大尺寸單晶高效制備方面,采用公司最新技術(shù)制備的晶體厚度已突破 60mm。
據(jù)了解,6 英寸碳化硅晶片仍是市場(chǎng)主流產(chǎn)品,8 英寸襯底正成為技術(shù)演化方向,Wolfspeed、ROHM、英飛凌等國(guó)際大廠已先后布局。8 英寸的面積較 6 英寸增加了約 78%,同等條件下從 8 英寸襯底切出的芯片數(shù)將提升近 90%,可將單位綜合成本降低 50%。
天岳先進(jìn)在今年 5 月與英飛凌簽訂一項(xiàng)新的晶圓和晶錠供應(yīng)協(xié)議,供貨碳化硅 6 英寸襯底、合作制備 8 英寸襯底。
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